電力の制御等に用いられるパワー半導体において、電力のオンとオフが切り替わるスイッチング時の電力損失（以下、スイッチング損失）を全体で最大40.5％低減するトリプルゲートIGBTを開発したと発表した。

今回開発した技術により、再生可能エネルギーシステムや電気自動車、鉄道、産業機器といったあらゆる電力機器に搭載される電力変換器の高効率化が見込めるとし、カーボンニュートラル社会の実現に貢献できる技術としている。

【参照ページ】　電力損失を大幅に低減可能なパワー半導体トリプルゲートIGBTを開発